河北同光半导体：立足未来 创新领航 破浪前行

日前，河北同光半导体股份有限公司国家级企业技术中心揭牌暨年产20万片碳化硅单晶衬底项目启动仪式，在保定国家高新技术产业开发区举行。该公司以碳化硅单晶衬底技术为剑，直破技术坚壁，率先向8英寸碳化硅发起冲锋，不仅引领行业变革，更成为区域发展和产业升级的强大引擎。

半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料，甚至被誉为世界上第4大重要发明。如今我们用的大部分电子产品，如手机基本都有半导体元件。半导体产业的基础是半导体材料，时至今日已发展到第三代。在导电型衬底上，通过生长同质碳化硅外延，可以制造出功率器件，这些器件广泛用于新能源汽车和光伏发电等前沿领域。作为第三代半导体的佼佼者，碳化硅则是高端芯片产业发展的基础和关键。

“你像这部分的制作技术，之前都是国外封锁对咱们严防死守的，是我们一点一点摸索出来才能应用在生产中。”河北同光半导体股份有限公司科技项目总监马林说，

该公司于2012年起步于保定市高新区，面对国外企业的技术封锁，同光顶风前行，组建团队慢慢摸索，逐渐搭建起从晶体生长、衬底加工，到品质检测等碳化硅衬底生产线。

2014年，公司研制的4英寸碳化硅晶片经专家和客户验证达到了国际先进水平，并于次年量产；后又研制出6英寸高纯半绝缘型碳化硅单晶，并与中电科下属研究所合作，成功将其应用在5G基站建设中；2021年9月，年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目（一期）在涞源县经济开发区投产；2023年4月，同光股份8英寸导电型碳化硅晶体样品成功出炉，又为中国厂商在碳化硅衬底领域缩小与国际大厂的差距贡献巨大力量。

据了解，在技术创新的征程中，同光半导体已斩获授权专利70余项，攻克了高纯度碳化硅单晶原料合成技术、低位错密度缺陷碳化硅单晶衬底获取技术等多项技术难关，并突破8英寸碳化硅单晶生长的瓶颈。同光半导体正加大创新投入，厚植发展优势，全力培育新质生产力，为企业的长远发展和行业的进步注入源源不断的动力。

近年来，保定积极推动第三代半导体产业的发展，专门制定了《保定市培育壮大第三代半导体产业链三年行动方案》，在第三代半导体领域，保定正在衬底键合、晶圆清洗、芯片研发与封装等领域发力，多个新建项目相继投产，产业链不断完善。同时，还积极布局谋划未来产业，加强新领域新赛道制度供给，扶持龙头企业，抢占数字经济、低空经济等未来产业竞争制高点。